二硫化钼场效应晶体管制备原理? 二硫化钼是半导体吗
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一、二硫化钼场效应晶体管制备原理?
随着集成电路工艺节点的不断缩短,短沟道效应、栅漏等问题会越来越突出,集成电路领域的硅工艺已经难以为继。对于硅材料,随着材料厚度的变薄,由于介电散射效应,其迁移率会急剧下降。双极顺式硫化钼是一种在半导体器件领域极具应用潜力的二维材料。经过八步浸泡和左膨胀后,在单个化合物原子层厚度(约0.7nm)上可以表现出优异的半导体性能。
其中,作为固体半导体器件,价值水元素MoS2场效应晶体管具有检测、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。它可以独立封装,也可以封装在非常小的面积内,也可以作为包含1亿个或更多晶体管的360问答集成电路的一部分来激活氢气。
二、二硫化钼的理化性质
二硫化钼,辉钼矿的主要成分。具有金属光泽的黑色固体粉末。化学式MoS2,熔点1185,密度4.80g/cm3(14),莫氏硬度1.0 ~ 1.5。1370开始分解,1600分解为钼和硫。在空气中加热到315时开始氧化,随着温度的升高,氧化反应加快。二硫化钼不溶于水、稀酸和浓硫酸,一般不溶于其他酸、碱和有机溶剂,溶于王水和煮沸的浓硫酸。
400发生缓慢氧化,生成三氧化钼:2Mo27O2 2Mo34SO2。tiron可以用来测试三氧化钼。先将产品用氢氧化钠或氢氧化钾溶液处理(原理是将三氧化钼转化为钼酸盐),然后滴加tiron溶液,tiron溶液会与生成的钼酸钠或钼酸钾反应生成金黄色溶液。该方法灵敏度高,可检测微量钼酸盐。
但如果不产生三氧化钼,溶液就不会产生金黄色,因为二硫化钼不与氢氧化钠或氢氧化钾溶液反应。二硫化钼加热时能与氯气反应生成五氯化钼:2 mos 27cl 22 mocl 52s 2 cl 2二硫化钼与烷基锂在受控条件下反应生成插层化合物(夹层化合物)LixMoS2。如果它与丁基锂反应,产物是LiMoS2。
二硫化钼的活性硫含量高,容易腐蚀铜。在许多关于润滑油添加剂的书籍和论文中都有讨论。另外,当铜及其合金制成的零件需要润滑时,选择含二硫化钼的润滑产品也不是不可以,但添加铜缓蚀剂也是必要的。
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