三星的新HBM3E内存技术达到1.2TB/s

三星最新的内存技术已达到9.8Gb/s(或1.2TB/s)的惊人速度，这意味着它比其前身快50%以上。HBM3E内存标准，绰号为Shinebolt，是三星针对云计算时代和不断增长的资源需求而开发的一系列高性能内存单元中的最新产品。

Shinebolt是Icebolt的后继产品，提供高达32GB的容量，速度高达6.4Gb/s。这些芯片专门设计用于与人工智能处理和法学硕士领域最好的GPU配合使用，随着新兴行业的发展势头增强，该公司今年加大了产量。

高带宽内存(HBM)比传统RAM速度更快、更节能，并使用3D堆叠技术，使芯片层能够相互堆叠。

三星的HBM3E通过使用非导电薄膜(NCF)技术，堆叠的层数比之前的迭代更高，从而消除了芯片中各层之间的间隙。导热性最大化，最终可以达到更高的速度和效率。

三星声称，该单元将为下一代人工智能应用提供动力，因为它将加快数据中心的人工智能训练和推理速度，并提高总体拥有成本(TCO)。

更令人兴奋的是，它将被纳入Nvidia的下一代AI芯片H200中。据《韩国经济日报》报道，两家公司于9月份达成协议，三星将向该芯片制造商供应HBM3内存单元，到2024年，三星将向Nvidia供应约30%的内存。

如果这种合作关系继续下去，HBM3E组件一旦进入批量生产，就有可能成为这笔交易的一部分。