台积电董事长刘马克博士已正式宣布开始生产其先进的3纳米(nm)工艺，并为此在南部科学园区(STSP)的扩建制造厂剪彩。刘博士还声称，尽管迄今为止有报道称其他OEM在该领域的表现不佳，但3nm的良率在其制造的同一阶段与上一代产品相当。

台积电在晶圆厂扩建公告中声称3nm芯片生产正步入正轨

台积电最先进的市场就绪3nm节点被认为会产生下一代芯片，例如高通公司的Snapdragon8Gen3SoC和苹果公司的M2Pro。现在，这家半导体巨头在其生产中标志着其声称的“关键里程碑”，其Fab18(第8阶段)在STSP进行了“产量扩张”。

刘博士预计，台积电最终将向晶圆厂投资1.86万亿新台币(约合605亿美元)，每期晶圆厂拥有58,000平方米的洁净室空间(约为一般同类设施的两倍)。话又说回来，该公司还重申，它还计划在其即将建成的亚利桑那州工厂建造3nm晶圆厂。

据估计，台积电的3纳米工艺与其5纳米工艺相比，已经展示出约60%的“逻辑密度增益”，在相同速度下功率效率提高了30-35%。据报道，该公司董事长引用了迄今为止两者之间相似的良率，这可能使3nm的良率在现阶段接近80%。

话又说回来，行业专家断言，随着时间的推移，台积电的预期增长率应该达到70%到75%。与此同时，据称三星在其3nm工艺方面落后，迄今为止的良率低至20%。