以硅成本实现宽带隙功率项目开发具有竞争力的GaN工艺技术

我们能否以低成本最大限度地提高电力转换效率，为全球能源挑战做出贡献?答案是：YESvGaN!YESvGaN联盟的目标是创建基于氮化镓(GaN)的新型垂直功率晶体管，即所谓的垂直GaN薄膜晶体管。

这些新型功率器件将宽带隙(WBG)半导体的效率与已建立的硅半导体技术的较低成本相结合。在YESvGaN中，涵盖了从晶圆到应用的所有所需新技术的开发。

自该项目于2021年5月1日启动以来，由23个欧洲合作伙伴组成的项目财团取得了令人瞩目的发展。具有FinFET架构和肖特基二极管的垂直器件演示器是新型垂直薄膜晶体管技术的重要组成部分，已成功创建。此外，垂直层堆叠已在硅和蓝宝石上生长，二极管击穿电压超过500V。

这是在低成本硅或蓝宝石衬底上实现1200V阻断电压的总体项目目标的重要一步。因此，GaN半导体材料可以进入未来高性能应用市场，例如汽车行业。

对于具有来自背面接触的超低电阻贡献的垂直GaN功率晶体管，开发可靠的膜工艺技术至关重要。YESvGaN已成功生产出厚度为几微米、直径为几毫米的脆弱GaN薄膜而不会破裂。

正在测试新型组装和互连技术，以便在极端条件下最终应用薄膜垂直GaN功率晶体管。这包括超过250⁰C的工作温度。此外，正在开发虚拟原型，以评估GaN器件在使用数字孪生的目标应用中的效率。

我们有信心YESvGaN将在项目的下一阶段继续取得可喜的成果，并朝着完全垂直的GaN薄膜晶体管迈出重要的一步。