隶属于UNIST的一个研究小组公布了一种使用介电常数而不是电阻率来存储数据的新方法。根据研究团队的说法，他们的发现有望开辟一条通过操纵缺陷偶极子开发功能材料的新途径，并提供一个新的平台来推进异质外延超越普遍的钙钛矿基板。

一种使用介电常数而不是电阻率存储数据的新方法

这一突破是由YoonSeokOh教授及其在UNIST物理系的研究团队与蔚山大学的TaeHeonKim教授合作实现的。

在这项研究中，研究团队开发了一种新的立方钙钛矿基底BaZrO3，它提高了BaTiO3的方形拉伸应变，并促进了四变体面内自发极化并产生了氧空位。

立方钙钛矿BaZrO3衬底表面的四重对称正方形晶格和应变产生四种变体的100面内电极化和畴结构。由于晶胞膨胀，大的拉伸应变还会引起内置氧空位和缺陷偶极子。由于应变驱动的内置缺陷偶极子与面内极化的四变域协同作用，研究人员发现电极化过程可逆地控制了内置缺陷偶极子的方向和三元极性状态，其特点是偏置/收缩磁滞回线。

BaZrO3基底上BaTiO3的四变体极性畴的发展表明，大的各向同性表面晶格可以在其他难以接近的异质结构中产生新的基态和物理现象，例如六重对称表面蜂窝超晶格的二维拓扑相.

BaZrO3衬底将被用作通过异质外延不可避免地与应变工程相结合的概念材料系统人工设计的新平台。此外，可切换的介电状态提供了介电常数而非电阻率可被视为低能耗记忆信息的证据。