根据ACS应用电子材料发表的一项研究，中国科学院合肥物理科学研究院的一个合作研究小组开发了一种基于NdGaO的有源太赫兹相位调制器3(NGO)单晶，适合太赫兹相位调制器。

研究人员开发基于NGO单晶的新型太赫兹相位调制器

寻找合适的材料来塑造太赫兹波不仅是非常可取的，而且也是限制太赫兹技术技术应用的挑战。

在这项研究中，科学家发现NGO晶体表现出明显的太赫兹相移。当NGO单晶的温度从100K提高到400K时，太赫兹相移将达到~94°。

此外，NGO晶体的太赫兹相移对晶体取向很敏感。每个晶体取向的相移呈线性比例关系。

使用光学控制，研究人员实现了太赫兹相位的主动调制：激光照明可以有效地诱导明显的太赫兹偏移。轻盈通量为20J/cm2，~78°的太赫兹位移可以实现，具有良好的操纵稳定性。通过改变光通量，可以实现多态太赫兹相移。

据研究人员称，NGO晶体的灵敏度和稳定性预计将产生重大的技术影响，并为太赫兹光学的应用提供前景。